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科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米

admin 2019-12-15 241人围观 ,发现0个评论

尽管现在台积电现已量产7纳米,下一年将向6纳米过渡,两至三年后将来到3纳米等级,但内存的制作半导体制程工艺进入20纳米之科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米后,制作就难度越来越高,持续提高制程工艺费效比越来越低,内存芯片厂商对工艺的界说现已不是详细的线宽,而是期望经过两代或三代1Xn科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米m节点去晋级DRAM,由此称为1Xnm、1Ynm科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米、1Znm。大体上1Xnm工艺相当于16-19nm等级、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14n篮导航m等级。

而经过美光的DRAM技能路线图显现,美光将持续扩展多个10纳米级节点,除了现已投产的第一代10纳米(1X)和第二代10纳米(1Y),现在开端量产第三代10纳米(科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米1Z),第一批运用1Znm制程来出产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。

接着,美光还将扩展三个10纳米等级节点:1 ,1 和1 (留意,是希腊字母)


现在,美光公司正在加大其用于制作各种产品的第二代10nm级制作工艺(即1Y nm),该工艺用于制作该公司的各种产品包含12 Gb LPDDR4X以科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米及16 Gb DDR4存储器材。

而美光的下一代1Z nm正准备进入量产阶段,第一批运用1Znm制程来出产的DRAM将会是16GB的DDR科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米4及LPDDR4X存储器。然后用于出产16 Gb LPDDR5存储器材以及DDR5存储器材。

1Z nm节点之后,美光方案开端运用其1nm制作技能,接着是1nm制作工艺,然后是1nm技能的可行架构的验证。

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